成孔工艺和SiC纳米线对SiOC多孔陶瓷结构与性能的影响

摘要：

以硅树脂RSN-6018为陶瓷前驱体聚合物、偶氮二甲酰胺为发泡剂、聚甲基丙烯酸甲酯为造孔剂、氯化钴为金属离子催化剂,分别采用前驱体自发泡、发泡剂法以及添加造孔剂法,在Ar气氛中于1400 ℃高温裂解转化制备分级多孔的硅氧碳(SiOC)多孔陶瓷.同时引入金属离子催化剂促进SiOC多孔陶瓷中原位生长碳化硅(SiC)纳米线.研究了不同成孔工艺得到的SiOC多孔陶瓷的孔结构与性能,探讨了催化剂对SiC纳米线的原位生长以及SiOC多孔陶瓷力学性能的影响规律.研究表明,不同成孔工艺制备的SiOC多孔陶瓷的孔结构具有明显差异,进而对性能影响较大;氯化钴的添加促进了SiC纳米线的原位生长,提高了SiOC多孔陶瓷的力学性能;以聚甲基丙烯酸甲酯微球(PMMA)为造孔剂、氯化钴为催化剂制备的SiOC多孔陶瓷的显气孔率为46.3％,耐压强度最高达29.6MPa,与未添加催化剂的样品相比提升了31.5％.

关键词：发泡剂、造孔剂、催化剂、SiC纳米线、SiOC多孔陶瓷

所属期刊栏目：47

分类号：TQ174

资助基金：陕西省重点研发计划项目;国防科技重点实验室基金项目

在线出版日期：2023-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1178-1185