水平超导磁场直拉法硅单晶熔体过热现象

摘要：

基于水平超导磁场及特定热场结构,对直拉法硅单晶生长过程中的熔体过热现象进行了数值模拟和实验研究.在数值模拟中发现了熔体对流和温度变化的特殊趋势,随后在实验中发现了相应位置品体直径突然收缩现象,依此推测拉晶过程中生长界面附近熔体温度及温度梯度的变化是引起晶体直径收缩的直接原因.此外发现改变熔体温度梯度将改变熔体过热现象发生的位置和幅度,模拟中对两种极端的功率条件进行了计算,并在实验中观察到了预期的差别.水平超导磁场对于熔体对流的抑制作用、特定的热场结构和工艺条件,都是引起熔体过热和晶体直径收缩现象发生的原因.

关键词：水平超导磁场、直拉硅单晶、三维(3D)数值模拟、熔体过热

所属期刊栏目：47

分类号：TN304.1(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2017YFB0305603

在线出版日期：2023-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1050-1058