高频滤波器件中AlSc材料的应用及研究进展

摘要：

伴随5G高频移动通信、物联网时代到来,微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)器件在国防安全、工业智能和智能生活等领域拥有巨大应用市场,基于压电效应的射频滤波器、传感器、换能器等是重点发展的关键半导体器件.为满足器件的高频、大带宽、小型化、集成化需求,具有高机电耦合系数并且与当前集成电路工艺高度兼容的AlScN薄膜是新一代压电MEMS器件的核心.AlSc二元合金靶材作为磁控溅射工艺制备AlScN薄膜的关键材料,其品质的好坏直接决定薄膜性能的优良.本文以AlScN压电薄膜在高频滤波器中的应用为背景,介绍了 Sc掺杂A1N薄膜的研究进展,阐述了 AlSc二元合金溅射靶材在磁控溅射制备AlScN薄膜中的优势,论述了 AlSc二元合金靶材的制备方法和关键性能表征,分析了国内外在此领域的研究成果及未来的研究方向.深入开展AlSc二元合金溅射靶材的制备及应用研究,有助于推进新一代信息技术用高纯稀土靶材的研发进程,具有显著的现实意义.

关键词：高频滤波器、AlScN薄膜、AlSc合金、溅射靶材、压电材料

所属期刊栏目：47

分类号：TG146.4+5(金属学与热处理)

资助基金：国家工信部《新一代信息技术用大尺寸高纯稀土金属靶材项目TC190A4DA/30

在线出版日期：2023-04-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：303-314