10.13373/j.cnki.cjrm.XY20030026
金属W掺杂AgSnO2材料导电性能研究
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AgSnO2作为电接触材料成功替代AgCdO材料,但是使用过程中析出的SnO2是宽禁带半导体,在导电性方面同AgCdO材料相比较差,因此决定通过掺杂W元素来提升SnO2材料的导电性.依据第一性原理,利用Material Studio软件中的CASTEP模块对SnO2晶体进行不同浓度比(50%,25%,16.7%,12.5%,8.35%,6.25%,5%)的W元素掺杂,并计算其结构参数、焓变、能带结构、态密度、电荷布局等特性.分析得出,任意掺杂后的SnO2结构较未掺杂前焓变绝对值增大,新生成O-W键与O-Sn键键长相差不大,掺杂后可以生成稳定结构;由于W元素的掺杂,其特有的d轨道不仅能提供更多能量,同时…展开v
W掺杂、导电性、AgSnO2材料
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TM58(电器)
国家自然科学基金51777057
2022-09-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1111-1117