10.13373/j.cnki.cjrm.XY19110022
微量元素Ce对Sn20Bi0.7Cu1.0Ag/Cu界面层异常生长的影响
研究了Ce元素对Sn20Bi0.7Cu 1.0Ag/Cu界面层组织异常生长的抑制机制.在铜基底上制备了Sn20Bi0.7Cu1.0Ag-xCe (x=0.01~0.20;%,质量分数)/Cu焊点.采用扫描电镜、金相显微镜观察了焊点界面的相组织结构、界面金属间化合物(IMC)层形貌,并测量了IMC层厚度.通过实验数据计算了IMC层的生长动力学参数.研究结果表明:随着IMC颗粒异常长大,周围β-Sn相开始析出Bi相,继而IMC颗粒周嗣Bi相富集并长大,最终IMC颗粒穿晶断裂.当Ce含量为0~0.05%时,焊点界面IMC层厚度随Ce含量增加逐渐降低,当Ce含量为0.05%~0.10%时,焊点界面IMC层厚度随Ce含量增加逐渐增加;Ce含量为0.05%时对界面IMC层生长的抑制效果最好,界面IMC层表面最平滑,界面IMC层的反应常数、扩散系数最小和临界厚度最薄,分别为1.75×10-11m·s-1,1.52×10-16 m2·s-1和7.55 μm.添加微量稀土元素Ce可以阻碍焊点界面IMC层的形成并抑制其异常长大,从而间接抑制焊点界面处Bi相的偏析与降低IMC层微裂纹的出现倾向,并改善焊点界面层形貌,使其表面变得更平滑.
Ce;金属间化合物;计算;可靠性
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TG425.1(焊接、金属切割及金属粘接)
云南省重大科技专项计划项目;云南省重大科技专项计划项目
2022-03-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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169-176