CVD法制备二维MoS2的形貌调控研究

摘要：

采用常压化学气相沉积法(CVD)生长了单层、双层及多层二维MoS2,通过形核促进剂对生长基体进行处理,生长了不同形貌尺寸的MoS2,并使用拉曼光谱和原子力显微镜(AFM)进行形貌与结构表征,分析探索了在化学气相沉积系统下的二维MoS2生长规律.结果表明,生长温度与时间、CVD通入气体的载气流量能够显著影响二维MoS2的尺寸、层数及结构等性质.其中生长时间是影响二维MoS2的层数的决定因素,载气流量能够影响二维MoS2结构的稳定性,生长温度则可显著影响MoS2的生长尺寸.通过构建生长模型与分析,解释了在富硫、缺硫和平衡氛围下,导致MoS2的不同几何形状生长倾向的原因.富硫和缺硫氛围下S-zz和Mo-zz边生长速率差异较大,因此MoS2倾向于三角形生长;平衡氛围下S-zz和Mo-zz边生长速率相近,故倾向于六边形生长.这为生长特定形貌尺寸的单层MoS2提供了参考.

关键词：二硫化钼、化学气相沉积、形核促进剂、过渡金属硫化物

所属期刊栏目：44

分类号：O614.61+2(无机化学)

资助基金：北京市科技新星计划项目XX2016047

在线出版日期：2021-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1249-1254