Ta及Ta-W合金真空渗碳工艺研究

摘要：

对Ta及Ta-W合金进行渗碳处理,在表面获得一定厚度的渗碳层,可以有效的提高其使用性能.对Ta及Ta-W合金进行真空渗碳处理,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和金相显微镜(OM)研究了不同渗碳时间和渗碳温度对样品渗碳结果的影响规律,分析了合金元素W对Ta-W合金渗碳结果的影响.结果表明:在1300℃下渗碳5h,纯Ta渗碳层表面物相为Ta,TaC及Ta2C三相共存;随着渗碳时间的延长,渗碳层中Ta及Ta2C含量逐渐减少,渗碳10 h时,Ta及Ta2C相消失并全部生成TaC相.在本文的渗碳条件下,W不与C原子发生反应生成碳化物,而是仍以溶质原子的形式固溶于晶体内部.在1300～ 1500℃范围内,随渗碳温度升高,渗碳层厚度增加;随着渗碳时间的延长,渗碳层厚度增加;提高渗碳温度有利于TaC相的形成;1500 ℃下渗碳10h,钽的渗碳层厚度可达35～ 40 μm.在1500℃下渗碳5h,Ta渗碳层厚度约20 μm,Ta-2.5％W为10～ 12 μm,Ta-7.5％W渗碳层厚度仅为7～8 μm,表明随着钽钨合金中W含量的增加,渗碳速率降低,相同时间内获得的渗碳层厚度越薄.

关键词：真空渗碳、钽钨合金、TaC、Ta2C

所属期刊栏目：42

分类号：TG146(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金项目50834008

在线出版日期：2018-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：925-930