阻挡层抛光中布线槽铜电阻Rs的控制机制研究

摘要：

布线槽处铜线条的电阻Rs关系着集成电路的响应速度和芯片的电特性.阻挡层抛光的过程中会造成布线槽处铜线条电阻Rs的变化,为了实现Rs的变化可控,使用FA/O螯合剂和JFC活性剂进行实验测试和机制研究.测试结果表明布线槽铜线条电阻R s的变化取决于铜线条厚度的大小,铜线条厚度的大小是由铜线条去除速率VCu决定的.对含有不同浓度FA/O螯合剂和JFC活性剂的抛光液进行电化学实验研究,结果表明螯合剂FA/O对Cu2+有很强的螯合作用,可以促进抛光液对布线槽铜线条的化学作用,提高布线槽铜线条的去除速率VCu;活性剂JFC对布线槽铜线条表面有很强的钝化作用,可以抑制抛光液对布线槽铜线条的化学作用,减小布线槽铜线条的去除速率VCu.利用螯合剂FA/O的强螯合作用和活性剂JFC的强钝化作用实现了布线槽铜电阻R s的控制.

关键词：布线槽、铜线条、电阻、阻挡层、钝化层

所属期刊栏目：42

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家科技中长期发展规划02重大专项项目2016ZX02301003-004-007;河北省青年自然科学基金项目F2015202267;河北工业大学优秀青年科技创新基金项目2015007

在线出版日期：2018-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：386-392