<100>P型4英寸无位错锗单晶的研制

摘要：

从4英寸无位错锗单晶的生长温度梯度条件出发,设计开发了直拉法生长4英寸无位错锗单晶的双加热器热场系统;并对其热场进行了一系列的数值模拟研究,获得了4英寸无位错锗单晶的温度分布、 轴向和径向的温度梯度分布以及热应力的分布结果:双加热器热场系统生长的锗单晶中轴向温度梯度在0.1～0.6 K·cm-1范围内,径向温度梯度为0.02～0.26 K·cm-1;锗单晶中局部区域的热应力值超过了锗单晶的临界切应力1 MPa,其他区域的热应力小于临界切应力.实验将双加热器热场系统中生长的无位错锗单晶,按要求切取测试片后进行位错腐蚀测量研究,获得测试片的位错密度和锗晶体的位错纵向分布.论文研究结果表明,锗单晶晶体中的应力分布数值模拟预期结果与实验生长的锗单晶位错腐蚀实验研究结果一致:该双加热器热场系统适合拉制4英寸无位错锗单晶;其位错呈离散分布,位错密度为350～480 cm-2.

关键词：无位错、锗单晶、加热器结构、温度梯度

所属期刊栏目：42

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：河北省重大科技成果转化专项项目13040603Z

在线出版日期：2018-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：285-290