电化学研究在锗的化学机械抛光上的应用

摘要：

通过电化学工作站对p型2英寸(1英寸=2.54 cm)Ge晶圆进行了研究,结合Alpsitec E460抛光机、原子力显微镜(AFM)验证电化学研究对于Ge的化学机械抛光的理论指导意义.结果表明:NaOH作为pH调节剂对Ge具备着比KOH,NH3·H2 O作为pH调节剂更强的腐蚀性;在H2 O2浓度一定的条件下,Ge的腐蚀性随着电解液中pH值的增加而增加;在pH相同的条件下,NaClO对Ge的腐蚀性要高于H2 O2对Ge的腐蚀性.使用Alpsitec E460机台对电化学测试结果进行验证比较,经过条件优化,在5%(质量分数)的SiO2磨料,1%(原子分数)的H2O2,pH=9条件下对Ge晶圆进行化学机械抛光得到Ge的抛光速率为299.87 nm·min-1,通过AFM观测抛光120 s后Ge晶圆表面粗糙度RMS=1.86 nm(10μm×10μm),线粗糙度Ra可达0.137 nm.说明了Ge的电化学测试可以有效为实际的CMP研究提供可靠的理论指导.

关键词：Ge、电化学、腐蚀性、化学机械抛光、表面粗糙度

所属期刊栏目：41

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：河北省高层次人才资助项目百人计划项目E2013100006

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1137-1142