Zn掺杂InSb薄膜的电特性

摘要：

研究了Zn掺杂InSb蒸镀薄膜杂质浓度和热处理条件对其电性能的影响.InSb薄膜采用三温度法在云母基片上制备,利用蒸镀Zn扩散后进行区熔再结晶的方法掺杂Zn杂质.在进行区熔再结晶时为了防止InSb分解和Sb的蒸发,用磁控溅射方法在InSb薄膜上生长厚度为300 nm的SiO2.测试结果表明最好的热处理条件为Ar气氛温度200℃、熔融区的移动速度1×10-5 m·s-1和熔融区通过数3.Zn成为受主,室温下测量Zn掺杂浓度为1.47×1022 m-3的InSb薄膜的电子迁移率为5.65 m2·V-1·s-1.Zn的掺杂浓度大于1.47×1022 m-3时电子迁移率急剧减少,最大的霍尔常数为385 cm3·C-1.在1.5 T磁场下Zn掺杂浓度为3.16×1022 m-3时,InSb薄膜电阻率的相对变化达到最大值为3.63,是未掺杂薄膜的2.46倍.

关键词：InSb薄膜、Zn掺杂、磁阻效应、区熔再结晶、电子迁移率

所属期刊栏目：41

分类号：TN304.2;TN305.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金项目51501007;国家科技部重大研究计划纳米专项项目2012CB932702

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1012-1018