高温氩/氢混合气氛退火对硅片表面质量的影响

摘要：

研究了高温退火过程中氩/氢混合气氛对300 mm硅片表面质量(原生颗粒缺陷和微粗糙度)的影响.在氢气含量不同的氩/氢混合气氛中,对样品进行1100℃,1h的高温退火处理,研究退火前后硅片表面原生颗粒缺陷和微粗糙度值的变化.实验结果表明,氩/氢混合气氛中氢气的含量对硅片表面原生颗粒缺陷的消除没有促进也没有抑制作用,增加氢气比例能促进硅片近表层处空洞型缺陷的消除；混合气氛中氢气的存在使得退火后硅片表面的微粗糙度值增加的更多,同时随着氢气比例的增加,表面微粗糙度增加的百分比总体呈递增趋势.最后就氢气对硅片近表面处空洞型缺陷的消除促进作用和氢气至表面微粗糙度变化机制做了分析.

关键词：高温退火、表面微粗糙度、空洞型缺陷、原生颗粒缺陷

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技部科技重大专项2008ZX41091

在线出版日期：2013-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：401-404