PVT法生长6H-SiC单晶中平面六方空洞缺陷研究

摘要：

平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量.因此,研究和去除平面六方空洞缺陷对提高晶片质量有重要意义.使用物理气相输运法(physical vapor transport,PVT)制备了4块6H-SiC单晶,使用光学显微镜观察了平面六方空洞的分布和形貌特征,并研究其形成机制.结果表明,平面六方空洞的形成主要由籽晶背向分解造成的.籽晶背向分解存在两个必要条件:籽晶背面存在与其相接触的气孔；气孔内与籽晶背面相接触的区域比其他区域温度高.籽晶背面的TaC致密膜层能够抑制籽晶背面的分解.结合使用在籽晶背面生成致密TaC膜层和粘结固定两种措施,有效地抑制了籽晶的背面分解,得到了无平面六方空洞缺陷的SiC晶体.

关键词：PVT、6H-SiC单晶、平面六方空洞、背向分解

所属期刊栏目：36

分类号：O77(晶体缺陷)

在线出版日期：2013-01-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：942-946