非易失性阻变存储器研究进展

摘要：

随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限.新型的阻变存储器具有高速读写、存储密度高、能耗低等优点引起了微电子产业界广泛关注.介绍了阻变存储器的阻变行为,综述了目前研究的存储机制、性能及其改善方法、材料体系、器件结构,并展望了阻变存储器的应用前景.

关键词：非易失性存储器、电阻转变、阻变机制

所属期刊栏目：36

分类号：TN30(半导体技术)

资助基金：国家重点基金50932001;国家重大科技专项02专项2009ZX02039-005

在线出版日期：2012-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：491-500