高能电子辐照诱导GaN异质结应变弛豫机制的研究

摘要：

利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量分别为1 × 1015/cm2和5×1015/cm2.经垂直于样品表面的电子辐照后,GaN外延层的(0004)和(1012)高分辨X射线衍射峰分别向高角和低角发生移动,表明电子辐照使GaN外延层发生了部分应变弛豫.利用电子背散射衍射(EBSD)对应变弛豫进行了表征.EBSD结果显示,剂量为5×1015/cm2的电子辐照相对于1×1015/cm2的电子辐照可诱导GaN外延层发生更为显著的应变弛豫.卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)实验结果表明,5×1015/cm2的电子辐照对GaN外延层引入更为严重的辐照损伤.上述实验结果表明,GaN外延层的应变弛豫与2 MeV的电子辐照引入的缺陷如弗伦克尔对有关.运用弹性原子链模型(EACM)对电子辐照诱导GaN外延层应变弛豫机制进行了讨论.

关键词：氮化镓异质结、应变弛豫、电子辐照、弹性原子链模型

所属期刊栏目：36

分类号：TG146.4+31(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金项目50872013,10575124,10979063

在线出版日期：2012-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：450-454