Al2O3界面钝化与热处理对Gd2O3-HfO2高κ薄膜电性能影响

摘要：

采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移.高温N2退火对堆栈层电学性能影响明显:随着温度的增加,界面性能逐步改善,退火温度为900℃时,回滞窗口小于20 mV,积累区趋势平缓并且单位面积电容值增大,薄膜介电常数为20.

关键词：Al2O3、Gd2O3-HfO2、堆栈层、磁控溅射、快速退火

所属期刊栏目：36

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然重点基金50932001;国家重大科技专项02专项2009ZX02039-005;国家自然科学基金50932001,51102020

在线出版日期：2012-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：415-418