高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响

摘要：

研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用.分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用.研究发现,在1200℃退火2h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多.然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10 μm.因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小.

关键词：直拉硅单晶、大直径、空洞型微缺陷、晶体原生粒子缺陷、高温退火

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项项目2008ZX02401

在线出版日期：2012-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：120-123