InGaN/GaN薄膜的阴极荧光研究

摘要：

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统结合场发射扫描电镜对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上实现的不同生长温度条件下InGaN/GaN薄膜材料进行测试分析.利用CL紫外可见光谱系统,对(0001)面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的发光波长与In成分变化之间的关系,即随着薄膜中Im含量的降低CL谱峰值波长随之产生蓝移.为了进一步研究InGaN薄膜材料的发光机制及薄膜中出现的V坑,对InGaN/GaN薄膜材料进行了同一位置的SEM图像和CL Mapping的对比分析,探讨了缺陷与发光的关系.认定了薄膜中出现的大尺寸V坑对InGaN薄膜材料的发光没有帮助；小尺寸V坑被认定为热腐蚀坑,也对薄膜发光没有贡献.结合SEM图像和CL Mapping初步确认了部分In富集区域.同时研究了InGaN/GaN薄膜表面形貌的平坦区域与沟壑区域造成的发光波动.

关键词：阴极荧光联合分析系统、InGaN薄膜材料、V坑、In富集区域

所属期刊栏目：35

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划2011CB301900;国家高技术研究发展规划2009AA03A198;国家自然科学基金60990311,60721063,60906025,60936004;江苏省自然科学基金BK2008019,BK2009255,BK2010178;南京大学扬州光电研究院研发基金

在线出版日期：2012-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：719-724