10.3969/j.issn.0258-7076.2011.03.013
VGF法生长4英寸GaAs单晶固液界面形状和热应力的数值模拟研究
采用专业晶体生长数值模拟软件CrysMas,模拟了垂直梯度凝固法(VGF)生长4英寸GaAs单晶过程中的固液界面形状,发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化.数值模拟结果表明熔体中和晶体中的轴向温度梯度之比小于0.4时,固液界面为凸向熔体,与理论推导结果一致.模拟了晶体生长过程中固液界面附近的晶体中的热应力值,发现固液界面为平界面时晶体中的热应力具有最小值.推导计算了VGF GaAs单晶生长过程中固液界面凹(凸)度的临界值,当固液界面凹(凸)度小于该值时,晶体中的热应力低于临界剪切应力.
数值模拟、垂直梯度凝固技术、GaAs、固液界面、热应力
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O472(半导体物理学)
国家863项目2002AAF3102
2011-08-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
388-393