沉淀法制备纳米复合Cu-CeO2阴极

摘要：

采用沉淀法制备出平均粒径约90 nm的Cu-CeO2粉末.将所得的纳米复合Cu-CeO2粉末经真空热压工艺处理制成纳米复合Cu-CeO2阴极.利用SEM及XRD分析方法对其显微组织进行了研究,结果显示:用沉淀法制备的Cu-CeO2阴极组织较均匀,CeO2粒子晶粒大多在100 nm,呈长圆状分布在Cu基体中.真空电弧实验研究表明纳米复合Cu-CeO2阴极击穿点分布在阴极表面的大部分面积上,阴极斑点细小分散,且击穿优先发生在CeO2相上,导致表面烧蚀较常规材料轻微.

关键词：沉淀法、Cu-CeO2阴极、纳米复合材料

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分类号：TM201.4;TG146.4+5(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50871080;陕西省教育厅专项09JK561

在线出版日期：2010-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：764-768