VGF法GaAs单晶位错分布的数值模拟和Raman光谱研究

摘要：

采用数值模拟技术和Rnman光谱法对4 inch垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单晶位错进行了研究.运用数值模拟软件计算了GaAs晶体生长过程中的位错分布,模拟计算与实验结果一致.通过Raman光谱测量,定量计算了晶片表面的残余应力分布.Raman测量结果表明,残余应力与位错密度分布基本一致.在VGF法生长的GaAs单晶中观察到了不完整的位错胞状结构,并利用Raman光谱法对其进行了微区分析.

关键词：数值模拟、GaAs、位错密度、残余应力、Raman光谱法、位错胞状结构

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家863项目2002AAF3102

在线出版日期：2010-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：237-242