氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响

摘要：

研究了氧沉淀对直拉(CZ)硅单晶维氏硬度的影响.研究表明,在发生一定程度氧沉淀的情况下,硅单晶的硬度会由于氧沉淀导致的间隙氧浓度的降低而减小,此时间隙氧原子的固溶强化作用对硅单晶硬度具有显著的影响;而当氧沉淀足够显著时,由于氧沉淀的密度和尺寸较大,氧沉淀在硅单晶中的第二相强化作用得以显现,此时硅单晶的硬度不随间隙氧浓度的降低而减小,反而有较为显著的提高.

关键词：单晶硅、氧沉淀、维氏硬度

所属期刊栏目：33

分类号：TN304.1;O614.41(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金重点项目50832006

在线出版日期：2009-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：758-761