表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响

摘要：

以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色u'晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响.X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响.BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12 Ω-1·cm-1,其压电常数d33、居里温度和介电常数与CLT相差不大,介电损耗有所提高.研究结果表明,还原处理不改变晶体结构,但能提高晶片表面的电导率,从而改善和消除晶片在器件制备过程中因热释电效应引起的放电现象.

关键词：钽酸锂、还原、电导率、压电性能、介电性能

所属期刊栏目：33

分类号：O738(晶体物理)

资助基金：国家高技术研究发展计划863项目2006AA030106

在线出版日期：2009-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：713-717