电子辐照直拉硅V-O相关缺陷的红外研究

摘要：

应用兀FTIR技术研究了1.5 MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-si)的V-O缺陷在不同温度热处理时的行为.发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830 cm-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830 cm-1峰的出现,在860 cm-1处出现一弱的吸收峰,两者有着相似的退火行为.VO0(830 cm-1)与样品中的初始间隙氧含量无关.400℃热处理,出现了889cm-1对应的复合体VO2,其形成主要在退火初期,该峰强度不随退火时间发生变化,但与初始氧含量有关.

关键词：电子辐照、辐照缺陷、VO、FTIR

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50472034;河北省自然科学基金E2005000048

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：227-231