300 mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响

摘要：

采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为.从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验.实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内OSF缺陷的密度增加.这说明,氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成,使OSF形核区变大.

关键词：掺氮、300mm、氧化诱生层错(OSF)、直拉单晶硅

所属期刊栏目：33

分类号：TN304.1+2(半导体技术)

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：223-226