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10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.016

片状纳米硅的结构及发光性能表征

引用
采用精密磨削加工工艺法制备了厚度为纳米级片状硅,以FESEM,HRTEM,EDS,SEAD及XRD等分析手段对片状纳米硅的形貌、结构及组分进行分析和表征.结果表明,所制得的片状纳米硅为纳米级片状结构,片平均厚度为10~15nm,具有立方金刚石结构.由于量子限制效应的影响,所制得的片状纳米硅的拉曼光谱发生了红移.室温下在404,495及750 nm处可观察到片状纳米硅的紫、绿、红3种光致发光谱,解释了片状纳米硅的发光机制.

纳米硅、精密磨削加工、光致发光、表征

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TN304.05(半导体技术)

国家高技术研究发展计划重大资助项目2008AA11A103

2009-06-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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0258-7076

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2009,33(2)

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