4英寸VGF GaAs单晶生长的数值模拟与实验研究

摘要：

利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长.首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接近的炉体模型.根据此模型,采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布、晶体及熔体的温度梯度、界面位置等.通过对单晶生长不同时间点的模拟,制定了一套单晶的生长工艺.然后,严格遵循此工艺进行单晶生长实验.通过对实验和模拟结果的对比分析,建立了实验和数值模拟之间的联系,为进一步利用数值模拟指导晶体的实际生长提供了依据.最后,利用数值模拟研究了单晶生长中"边界效应",探讨了晶体生长过程中产生多晶的原因.

关键词：砷化镓、单晶、数值模拟、垂直梯度凝固

所属期刊栏目：33

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家"863"高技术研究项目2002AAF302

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：211-216