沉积温度对多晶硅吸杂薄膜的影响

摘要：

研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察.实验结果表明,随着沉积温度的不断升高.多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低.吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度.

关键词：沉积温度、多晶硅、吸杂、晶粒

所属期刊栏目：32

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2009-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：728-730