4英寸低位错锗单晶生长

摘要：

采用直拉法生长 4 英寸<loo>低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求.

关键词：4英寸锗单晶、温度梯度、缩颈、工艺参数、位错密度

所属期刊栏目：32

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2008-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-37