GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化

摘要：

根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在950～1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率.另一方面,较高的v/Ⅲ也会抑制GaN的生长速率.生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GsN薄膜在高温下(1073～1473 K)为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整.

关键词：氮化镓、计算流体力学、蒙特卡洛、计算机模拟

所属期刊栏目：32

分类号：O469;TN304.2;TQL33.5(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB604900;国家自然科学基金6039072;60476030;60421003;60676057;教育部科学技术研究项目10416;教育部高等学校博士学科点专项科研基金20050284004;江苏省自然科学基金BK2005210;BK2006126

在线出版日期：2008-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：28-33