掺氮对300 mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响

摘要：

采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶, 研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为. 从两种晶体的相同位置取样, 并对样品进行Secco腐蚀、 1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验. 实验结果表明, 在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷(FPDs)的密度变小, 氧化诱生层错环(OSF-ring)向样片中心处移动, 同时宽度变大. 这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生, 同时可以缩小空位型缺陷区的范围, 而且V/I过渡区(OSF-ring)的范围变大.

关键词：300 mm、流动图形缺陷、氧化诱生层错环、掺氮

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.1(半导体技术)

资助基金：科技部国际科技合作项目2005DFA51050

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：746-749