300 mm双面磨削硅片表面纹路模拟

摘要：

分析了硅片双面磨削的运动轨迹, 并给出了砂轮上P点相对于硅片的运动轨迹. 还对砂轮运动轨迹进行了模拟. 得出以下结论: 砂轮上P点在硅片上的运动轨迹仅与它们的相对转速比I有关, 而与两者的分别转动角速度值没有关系. 硅片磨削的磨纹密度沿着硅片径向逐渐减小, 硅片中心处磨纹最密集, 磨纹密度最大, 表面粗糙度最小, 越靠近硅片的中心硅片的磨纹密度越大, 表面粗糙度越小, 表面质量越好; 反之, 越靠近硅片的边缘磨纹密度越小, 表面粗糙度越大, 表面质量越差. 砂轮和硅片旋转方向相同时单颗磨粒的轨迹带有紫荆花形状, 说明其磨削是不均匀的, 磨削效果不好; 而砂轮和硅片旋转方向相反时单颗磨粒的轨迹则不具有这种形状, 磨削很均匀, 磨削效果好. 硅片磨纹密度是由砂轮和硅片的速比决定的, 速比(ωw)/(ωs)的不可约分数m/n中n越大, 硅片磨纹密度越密, 表面粗糙度越小, 磨削表面质量越好.

关键词：磨削轨迹、模拟、表面粗糙度

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.1+2(半导体技术)

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：742-745