300 mm 硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析

摘要：

采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300 mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象.针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了＜100＞硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高.

关键词：热应力、模拟、300 mm、硅单晶

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.1(半导体技术)

资助基金：科技部国际科技合作项目2005DFA51050

在线出版日期：2008-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：585-589