退火对锗单晶导电性能的影响

摘要：

退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响.退火温度超过550 ℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750 ℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型.同时,退火温度超过550 ℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果.

关键词：锗单晶、退火、导电型号、电阻率

所属期刊栏目：31

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2007-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：511-514