Nb2O5掺杂对PZN-PZT压电陶瓷微观结构和电性能的影响

摘要：

研究了施主掺杂离子Nb5+对Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2Ti0.4Zr0.4O3 (PZN-PZT) 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%～1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析, 确定了Nb2O5在钙钛矿主晶格中的固溶限度为0.5%左右. 少量Nb2O5能够抑制晶粒生长, 并导致四方相向三方相转变和晶体四方度的降低;而过量Nb2O5对晶粒尺寸、相转变和晶格畸变没有显著影响. 材料的电性能随Nb2O5加入量的增加而呈现极值型变化, 最优电性能在固溶限度处.

关键词：Nb2O5掺杂、PZN-PZT、微观结构、电学性能

所属期刊栏目：31

分类号：TM282(电工材料)

资助基金：河南工业大学校科研和教改项目05101

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：248-252