10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.005
不同致密度MoSi2材料在700~1200 ℃的氧化行为
利用热重分析法,SEM和X射线技术研究了不同致密度的MoSi2材料在700~1200℃的循环氧化行为.研究结果表明:氧化480 h后,不同致密度的MoSi2材料均未发生"粉化"现象,致密度和"粉化"现象无本质关系.低致密度(85.0%)MoSi2材料氧化动力学在初始和后续阶段基本上都呈直线形,而高致密度的材料氧化动力学遵守抛物线规律.致密度为85.0%的MoSi2材料在700~1200 ℃之间氧化时,氧化温度越高,材料氧化增重逐渐减少;而致密度为90.2%和94.8%的MoSi2材料在700~1000 ℃之间,随温度升高,材料增重越多,而在1200 ℃氧化时,增重最小.
MoSi2、致密度、氧化行为
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TG146.4(金属学与热处理)
国家自然科学基金50405041
2007-04-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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