Fex-C1-x/Si颗粒膜的巨磁电阻效应

摘要：

利用激光脉冲沉积(PLD)方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si.Fex-C1-x/Si的磁电阻(MR)可正可负,随温度而变化.当温度T＜258 K时,Fe0.011-C0.989/Si的MR为负值;当258 K＜T＜340 K时,该材料的MR为正值,在室温磁场为1 T时,该材料的正MR可以大于20%.且在不同的温度范围中,该材料的MR和外加磁场的依存关系呈现出不同的特点:在T=280和300 K时,当磁场小于1 T时,MR随磁场的增加而快速增加,之后随磁场的继续增加MR增加开始变得缓慢;在T=350 K时,MR近似以磁场的B1.5的规律变化;而在T=30 K时,MR为负值且其大小随磁场的增加而减小.利用双通道模型对该MR效应进行了初步解释.

关键词：磁电阻、碳膜、硅

所属期刊栏目：30

分类号：O441(电磁学、电动力学)

资助基金：国家自然科学基金50271034;90401013

在线出版日期：2006-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：429-431