氢氟酸中痕量杂质的ICP-MS分析测定

摘要：

研究了用HP 4500型 ICP-MS方法分析半导体用浓氢氟酸中的痕量杂质.在半导体业,所用试剂要求在10 ng·ml-1级.采用样品直接稀释法,在优化的实验条件下,采用HP 4500型ICP-MS实现了样品中Na,Mg,Al,K,Ca,Cr,Fe,Ni,Cu,Pb,10种杂质元素的同时测定,降低了样品玷污的可能性.屏蔽炬系统和冷等离子体的使用,很大程度上提高了检出限,使K,Ca和Fe获得令人满意的测量结果.所有元素的测定均在相同条件下进行,检出限为0.8～20 ng·ml-1.

关键词：氢氟酸、ICP-MS、标准加入法、金属杂质

所属期刊栏目：29

分类号：O657.8(分析化学)

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：948-950