工艺条件对直流磁控溅射沉积ITO薄膜光电特性的影响

摘要：

研究了采用直流磁控溅射法制备ITO透明导电膜时温度、靶材、氧压比、溅射气压、 溅射速率等工艺条件对ITO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响.实验结果表明,用ITO陶瓷靶溅射镀膜要比In-Sn合金靶好,特别是在电阻率上,前者要低一个数量级左右;并由实验结果得到,当温度330 ℃,氧氩比1/40,溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm·min-1左右时,可获得薄膜电阻率1.8×10-4 Ω·cm,可见光透过率80%以上的最佳光电特性参数.

关键词：磁控溅射、ITO膜、电阻率、透光率

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：河南省科技攻关项目0224380029

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：931-933