N2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响

摘要：

快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度.研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响.发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度.使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化.发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加.

关键词：硅抛光片、洁净区、氧沉淀、内吸杂、原子力显微镜、微粗糙度

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.1+2(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目2002AA3Z1110

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：810-813