双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

摘要：

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840 s.采用高分辨率 DCXRD, 扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明, 以1040 ℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si-Ga结构, 是后续生长的"模板".低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷.DCXRD测得的FWHM为0.21, GaN峰强达7 K.

关键词：Si(111)、GaN、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、双晶X射线衍射(DCXRD)

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：广东省深圳市科技计划2002-K1-65;广东省关键领域重点突破项目2B2003A107

在线出版日期：2005-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：236-238