10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.035
GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收
利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化.基于自洽场理论,可以求出瞬态探测光吸收系数.这一方法没有采用稳态假设.计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数.利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题.
双量子阱、子带跃迁、光学吸收
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O472+.3;O481.3(半导体物理学)
国家自然科学基金2001CCA02800;国家自然科学基金;国家科研项目G20000683;上海市科技发展基金011661075
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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