10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.033
四阱耦合InGaAs/InAlAs/InP量子级联激光器材料的结构特性研究
报道了用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器(QCL)材料的结构特性.X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面(含770层外延层)、厚度达到单厚子层控制,组份波动≤1%,晶格失配≤1×10-3.采用特殊的优化工艺,Φ50 mm 外延片的表面缺路陷密度降至1×10 cm-2,达到了器件质量的要求.
量子级联激光器、X射线衍射
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TN248.4;TN365(光电子技术、激光技术)
中国科学院基础研究项目;国家重点基础研究发展计划973计划KY 951-B1-706,G2000068304
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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