10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.032
GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究
报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs样品的x轴和y轴以5 mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布.结果表明,用GSMBE生长的Φ50 mm和Φ75 mm In0.49Ga0.51P与GaAs衬底的失配度分别为1×10-4和1×10-5,组分波动Φ50 mm沿x轴和y轴分别为±0.1%和±0.2%,Φ75 mm <±1%.表面缺陷密度在1×10~1×102 cm-2.
InGaP、均匀性、气态源分子束外延、X射线双晶衍射、InGaP/GaAs
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TN405.98+4(微电子学、集成电路(IC))
中国科学院基础研究项目;国家重点基础研究发展计划973计划KY 951-B1-706,G2000068304
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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