期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.018

InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

徐安怀邹璐陈晓杰齐鸣
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
引用
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InP HBT材料,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为4×10-4量级,典型的InP发射区掺杂浓度(4×1017 cm-3)时,电子迁移率为800 cm2·V-1·s-1,具有较好的电学特性,可以满足器件制作的要求.

分子束外延、异质结双极晶体管、InGaAs、InP

28

O47(半导体物理学)

国家重点基础研究发展计划973计划G2000068304,2002CB3119

2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

516-518

暂无封面信息
查看本期封面目录

稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

28

2004,28(3)

开通阅读并同意
《万方数据会员(个人)服务协议》

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn