期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.017

用于1.44 μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计

劳燕锋吴惠桢
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
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采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1-xAs/In0.80Ga0.20As0.44P0.56/InP量子阱结构进行了能带计算,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系,从而得到了激射波长1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在5~10 nm内取值)的相互关系: x=0.32013+0.06093Lw-0.00534 Lw2 + 0.00017483 Lw3,当阱宽为5~10 nm,因而Ga组份为0.51~0.57时,阱材料中产生的张应变量为: 0.29%~0.70%.最后,我们计算了该量子阱结构的能量色散关系和光增益谱,从而对x与Lw组合值进行优化.

半导体激光器、量子阱结构、应变、光增益谱

28

O47(半导体物理学)

国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314903

2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

511-515

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稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

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2004,28(3)

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