10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.016
空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究
报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果.采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极,栅线宽度小于15 μm,厚度在5 μm以上;采用NH4OH/H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层; 采用真空蒸发制备TiO2/SiO2双层减反射膜,电流密度增益可达25%以上;研制出平均效率达到19%(AM0,1 s,25 ℃)以上的GaAs/Ge太阳电池.
太阳电池、GaAs/Ge、器件工艺
28
TK514(特殊热能及其机械)
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
508-510