10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.014
ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究
用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向,电阻率降低到9.34×10-4 Ω·cm,且可见光段(400~800 nm)平均透过率大于80%的ZnO∶Tb新型透明导电材料.
ZnO、RF溅射、透明导电薄膜
28
O782(晶体生长)
甘肃省自然科学基金ZS011-A25-050-C
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
502-504