期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.014

ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

何志巍方泽波朋兴平王印月谭永胜
兰州大学;
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用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向,电阻率降低到9.34×10-4 Ω·cm,且可见光段(400~800 nm)平均透过率大于80%的ZnO∶Tb新型透明导电材料.

ZnO、RF溅射、透明导电薄膜

28

O782(晶体生长)

甘肃省自然科学基金ZS011-A25-050-C

2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

502-504

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稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

28

2004,28(3)

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