期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.013

衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响

于广辉叶好华李爱珍雷本亮齐鸣
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
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研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布.

GaN、衬底氮化、氢化物气相外延

28

O472(半导体物理学)

国家高技术研究发展计划863计划2001AA311100

2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

499-501

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稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

28

2004,28(3)

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