10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.013
衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响
研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布.
GaN、衬底氮化、氢化物气相外延
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O472(半导体物理学)
国家高技术研究发展计划863计划2001AA311100
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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