10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.007
非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉淀密度,即AB-EPD,同时也保证了晶片的电学参数不受影响.通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释.
半导体物理学、砷沉淀、AB微缺陷、半绝缘砷化镓单晶片
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TN304.2(半导体技术)
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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