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10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.007

非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究

周春锋赖占平高瑞良齐德格
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
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为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉淀密度,即AB-EPD,同时也保证了晶片的电学参数不受影响.通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释.

半导体物理学、砷沉淀、AB微缺陷、半绝缘砷化镓单晶片

28

TN304.2(半导体技术)

2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

476-479

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稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

28

2004,28(3)

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